엔지니어 꿈꾸는 테리어몬

저번 포스트에 이어 이번에는 이온주입공정(Ion-implantation)에 대해 알아보자. 기존의 확산공정을 통한 도펀트의 주입으로 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor)를 만드는 원리에 대해 저번 포스트를 통해 알아보았다. 하지만 기존 확산공정은 확산되는 도펀트에 대해 원하는 만큼의 깊이와 방향을 조절할 수 없었다. 이온들이 등방성으로 확산되었기 떄문이다. 이러한 문제점들을 해결하기 위해 고안된 방법이 이온주입공정(Ion-implantation)이다. 간단히 이야기 하면 강한 에너지로 이온을 실리콘 결정 사이에 찔러 넣는다고 생각하면 된다. 해당 과정에 대해 자세히 알아보자. 이온주입공정(Ion-Implantation)란 무엇인가? : 반도체에 전도성을 부여하기 위해 웨이퍼에 불순물..

박막이 뭘까? 박막은 통상, 1마이크로미터 이하의 막을 말한다. 이러한 박막을 특수한 목적을 가지고 증착하는 공정을 박막 증착 공정이라고 한다. 박막 증착 공정의 분류 체계는 아래와 같이 정리해 볼 수 있다. [박막 공정 주요 변수] 종횡비(Aspect Ratio) 피복능력(Step Coverage) 기타 변수(증착률,균일도,접착력,박막 응력(stress)) - 종횡비(Aspect Ratio) = h(높이)/w(바닥면 길이) 를 뜻하며, 종횡비가 증가한다는 뜻은 높이가 증가하고 폭이 줄어듦을 의미한다. 이는 곧 피복능력과 바로 직결되는 부분이다. 당연히 생각해봐도 높고 좁아지면 그 안에 얇게 무언가를 증착한다는것은 엄청나게 어려울 것이다. 심지어 균일하게 발라야되는데 더 어려울 수 밖에 없지..! 라고 ..